La industria de los semiconductores ha vivido durante mucho tiempo a la sombra de la pregunta de si la Ley de Moore se acerca a su límite. IBM cree ahora tener una respuesta. Según MIT Technology Review, la compañía ha presentado un chip prototipo donde aproximadamente 100 mil millones de transistores están densamente empaquetados en un área no mayor que una uña, duplicando la densidad en comparación con la tecnología de punta anterior de IBM, lanzada en 2021.

¿Qué hace esto posible?

El nuevo diseño de IBM no es solo una mejora incremental. La compañía ahora opera con geometrías de transistores por debajo de un nanómetro, un umbral que representa un salto tecnológico significativo. Distancias más cortas entre los transistores significan que las señales pueden viajar más rápido y que los chips consumen menos energía por operación, un criterio cada vez más importante en un momento en que los centros de datos y la inteligencia artificial ejercen una enorme presión sobre el consumo global de energía.

El prototipo en sí es una hoja de ruta más que un producto terminado, pero según MIT Technology Review, apunta hacia un futuro posible donde la industria de los semiconductores puede continuar escalando el rendimiento y la eficiencia durante al menos una década más.

IBM cree que la nueva tecnología de chips puede extender la Ley de Moore por una década, y la industria sigue de cerca.
IBM empaqueta 100 mil millones de transistores en una uña - Bilde 1

Una carrera industrial a toda velocidad

IBM está lejos de estar solo en la carrera por los transistores más pequeños. Fuentes de investigación muestran que los tres actores dominantes en la producción de semiconductores —Intel, TSMC y Samsung— están profundamente involucrados en el desarrollo de tecnología sub-2nm.

Intel ha entrado en lo que la propia compañía denomina la «era Angstrom». El proceso Intel 18A de la compañía (equivalente a la clase de 1,8 nm) está ahora en producción de alto volumen después de haber sido lanzado a finales de 2025. La tecnología utiliza los llamados transistores RibbonFET gate-all-around (GAA) y una nueva red de distribución de energía en la parte trasera llamada PowerVia. En comparación con el nodo Intel 3 anterior, el 18A debería ofrecer un 15 por ciento más de eficiencia energética y un 30 por ciento más de densidad. Intel ya está trabajando en un proceso 14A planificado para producción de alto volumen en 2029, y según fuentes de investigación, la compañía ha iniciado trabajos de desarrollo temprano en nodos 10A y 7A aún más avanzados.

TSMC, el mayor fabricante por contrato de semiconductores del mundo, comenzó la producción en volumen de su proceso de 2nm (N2) en el cuarto trimestre de 2025. Según las cifras disponibles de la industria, la compañía controlaba aproximadamente el 72 por ciento de los ingresos entre los diez mayores servicios de fabricación en 2025. TSMC ya está desarrollando tecnología A16 y A14, esta última planificada para producción en volumen alrededor de 2029.

Samsung Foundry comenzó la producción en masa de su primer proceso de 2nm (SF2) en 2025, pero ha enfrentado desafíos con el rendimiento de producción. Las cifras iniciales de 2026 sugerían que el rendimiento se situaba en el rango del 50-60 por ciento para el nodo de 2nm. La compañía tiene un objetivo ambicioso de producción en masa de tecnología de 1,4nm para 2027, pero los observadores de la industria no están seguros de si este cronograma es realista.

Ley de Moore: No muerta, sino transformada

La regla general tradicional de que la densidad de transistores se duplica aproximadamente cada dos años —la Ley de Moore— ha mostrado durante mucho tiempo signos de estancamiento. Los expertos de la industria señalan que, en el futuro, no solo la reducción adicional de los transistores impulsará el progreso. Técnicas como el apilamiento tridimensional de capas y el empaquetado avanzado de chips desempeñarán un papel cada vez más importante. Estos métodos permiten aumentar el rendimiento y reducir el consumo de energía sin que los costos de la escalada física continua sean prohibitivos.

La litografía ultravioleta extrema (EUV) se considera una necesidad para la producción de chips por debajo de 2nm, y se estima que representará más de la mitad de las necesidades de litografía de la industria de semiconductores en los próximos años.

De la escalada al apilamiento: el desarrollo futuro de chips se trata tanto de arquitectura como del tamaño de los transistores.

¿Qué significa esto en la práctica?

Para los usuarios finales y la industria, avances como el prototipo de IBM significan oportunidades para procesadores más rápidos, aceleradores de IA más eficientes energéticamente y dispositivos más compactos. Sin embargo, es importante subrayar que IBM ha presentado ahora un prototipo; el camino del laboratorio a la producción en masa es largo y costoso, y no hay garantía de que las especificaciones de diseño se mantengan intactas a través de la escalada de producción.

No obstante, el anuncio de IBM envía una señal clara a la industria: la carrera por los chips más pequeños y densos está lejos de terminar.

Fuentes: MIT Technology Review, análisis de investigación de la industria sobre Intel, TSMC y Samsung Foundry.